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二极管防反接保护电路图_mos管防反接保护电路图_防反接保护电路

2018-7-13 21:43| 来源:电工进修网| 检查: 7264| 评论: 0

摘要: 二极管防反接保护电路图_mos管防反接保护电路图_防反接保护电路
1.平日情况下直流电源输入防反接保护电路是应用二极管的单领导电性来完成防反接保护。以下图1示:
这类接法简单靠得住,但当输入大年夜电流的情况下功耗影响是异常大年夜的。以输入电流额外值达到2A,如选用Onsemi的快速恢复二极管 MUR3020PT,额外管压降为0.7V,那么功耗至少也要达到:Pd=2A×0.7V=1.4W,如许效力低,发热量大年夜,要加散热器。
2.别的还可以用二极管桥对输入做整流,如许电路就永久有精确的极性(图2)。这些筹划的缺点是,二极管上的压降会消费能量。输入电流为2A时,图1中的电路功耗为1.4W,图2中电路的功耗为2.8W。


图1 一只串连二极管保护体系不受反向极性影响,二极管有0.7V的压降。


图2 是一个桥式整流器,不论甚么极性都可以正常任务,然则有两个二极管导通,功耗是图1的两倍。
应用MOS管的开关特点,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,处理了现有采取二极管电源防反接筹划存在的压降和功耗过大年夜的成绩。
MOS管型防反接保护电路
图3应用了MOS管的开关特点,控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路,由于功率MOS管的内阻很小,如今 MOSFET Rds(on)曾经可以或许做到毫欧级,处理了现有采取二极管电源防反接筹划存在的压降和功耗过大年夜的成绩。
极性反接保护将保护用处效应管与被保护电路串连连接。保护用处效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端,其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。diangon.com若是NMOS,其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端,其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接,保护用处效应管会构成断路,防止电流烧毁电路中的场效应管元件,保护全体电路。
详细N沟道MOS管防反接保护电路电路如图3示。


图3. NMOS管型防反接保护电路。
N沟道MOS管经过过程S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,电阻R1为MOS管供给电压偏置,应用MOS管的开关特点控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来破坏。正接时辰,R1供给VGS电压,MOS饱和导通。反接的时辰MOS不克不及导通,所以起到防反接感化。功率MOS管的Rds(on)只要20mΩ实际消耗很小,2A的电流,功耗为(2×2)×0.02=0.08W根本不消外加散热片。处理了现有采取二极管电源防反接筹划存在的压降和功耗过大年夜的成绩。


VZ1为稳压管防止栅源电压太高击穿mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,最好选NMOS。
NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。
PMOS管接在电源的正极,栅极低电平导通。

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